型号 | SI7462DP-T1-E3 |
厂商 | Vishay Siliconix |
描述 | MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK 8SOIC |
SI7462DP-T1-E3 PDF | |
代理商 | SI7462DP-T1-E3 |
产品目录绘图 | DP-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
标准包装 | 1 |
系列 | TrenchFET® |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 130 毫欧 @ 4.1A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 30nC @ 10V |
功率 - 最大 | 1.9W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 |
供应商设备封装 | PowerPAK? SO-8 |
包装 | 剪切带 (CT) |
其它名称 | SI7462DP-T1-E3CT |